特許
J-GLOBAL ID：200903038332994606

半導体発光素子

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

, 
新井 優洋

新井 優洋 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158886
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356600
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】半導体発光素子の急速な劣化を防止し、中間バンドギャップ層を設けなくても順方向動作電圧を低くできるとともに、高輝度、低価格、高信頼性であり、再現性に優れる半導体発光素子を提供する。【解決手段】この半導体発光素子は、n型GaAs基板1と、この基板1上に、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3と、活性層4と、Zn拡散抑止層であるアンドープ層10と、p型クラッド層5と、p型コンタクト層6と、金属酸化物窓層7とをそれぞれ積層したものである。アンドープ層10は、活性層中へのZn拡散を押さえ込めるため、Znの拡散による発光出力の低下及び信頼性の低下を防止できる。p型コンタクト層を所定の膜厚とすることで高輝度、低動作電圧を確保する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の基板と、 前記基板上に積層された第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層との間に活性層が設けられた発光部と、 前記発光部の上に形成され、高添加濃度のZnを含む第二導電型コンタクト層と、 前記発光部の上に積層された金属酸化物窓層と、 前記金属酸化物窓層の表面側に形成された第1の電極と、 前記基板の裏面の全面または部分的に形成された第2の電極と、 前記活性層と前記第二導電型クラッド層との間に、アンドープ層、または前記第二導電型クラッド層よりもキャリア濃度が低い第二導電型半導体層、または1×1017cm-3以下のキャリア濃度を有する第一導電型半導体層からなる拡散抑止層とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57
引用特許：
審査官引用 (9件)
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