特許
J-GLOBAL ID：200903012822105592

半導体記憶装置

発明者：
千田 稔

千田 稔 について

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小林 真一

小林 真一 について

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築出 正樹

築出 正樹 について

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佐藤 広利

佐藤 広利 について

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清水 禎之

清水 禎之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127782
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324393
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 実装面積と待機時の消費電流とを抑えつつ、メモリ容量を増大させた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ダイナミック型のメモリAと不揮発性メモリBとスタティック型のメモリCとを1つのパッケージに収める。メモリAおよびメモリBに電源電位を供給する端子10と分離して、メモリCに電源電位を供給する端子12を設ける。スタンバイ時には端子10への電源電位の供給を停止することにより、半導体記憶装置1のスタンバイ電流を低減させることができる。
請求項（抜粋）：
外部と記憶データの授受を行なう半導体記憶装置であって、第1の電源ノードから電源電位の供給を受ける第1型の第1の揮発性メモリ回路と、第2の電源ノードから電源電位の供給を受ける前記第1型と異なる第2型の第2の揮発性メモリ回路と、第3の電源ノードから電源電位の供給を受ける不揮発性メモリ回路と、前記第1、第2の揮発性メモリ回路および前記不揮発性メモリ回路を収納するパッケージとを備える、半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 5/00 ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  G11C 16/06
FI (5件)：
G11C 5/00 Z ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 17/00 632 D
Fターム (19件)：
5B015HH04 ,  5B015JJ07 ,  5B015KB74 ,  5B025AA01 ,  5B025AD09 ,  5B025AE06 ,  5M024AA20 ,  5M024BB29 ,  5M024BB37 ,  5M024FF20 ,  5M024KK32 ,  5M024KK40 ,  5M024LL16 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP05 ,  5M024QQ01 ,  5M024QQ03 ,  5M024QQ10
引用特許：
審査官引用 (17件)
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