スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-114116
公開番号（公開出願番号）：特開2009-263487
出願日： 2008年04月24日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【解決手段】(1)〜(3)の単位を含有する高分子。(R1はH、F、CH3又はCF3、RfはH、F、CF3又はC2F5、Aは二価の有機基。R2、R3及びR4は酸素を含有してもよい有機基、R2、R3及びR4が相互に結合して式中の硫黄原子と環を形成しうる。Nは0〜2の整数を示す。R8はH又はアルキル基、Bは単結合または二価の有機基。aは0〜3、bは1〜3、Xは酸不安定基。)【効果】感放射線レジスト材料のベース樹脂として有用。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)、下記一般式(2)及び下記一般式(3)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F 220/38 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , G03F 7/11 , G03F 7/38

FI (7件)：

C08F220/38 , G03F7/004 504 , G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , G03F7/11 501 , G03F7/38 501

Fターム (60件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF07 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096GA09 , 4J100AB07T , 4J100AJ02T , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100BA02R , 4J100BA02T , 4J100BA03Q , 4J100BA03S , 4J100BA03T , 4J100BA11S , 4J100BA12R , 4J100BA15S , 4J100BA56P , 4J100BB07P , 4J100BB17P , 4J100BB17T , 4J100BC03R , 4J100BC04T , 4J100BC07R , 4J100BC07S , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC12R , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC49P , 4J100BC49T , 4J100BC53R , 4J100BC53S , 4J100BC53T , 4J100BC58S , 4J100CA06 , 4J100JA46

引用特許：

出願人引用 (14件)

フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252064 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316385 出願人：JSR株式会社
特許第3613491号公報

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