研磨用材料、CMP用スラリー組成物、ルテニウムのパターン形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186202
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109922
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】低い研磨圧力下においてもルテニウムの研磨速度を向上させることができ、さらに1種類のスラリーを用いて1段階の工程だけで化学機械的研磨工程が進められ絶縁膜上の欠陥を減少させると共に、研磨特性を改善させることができるので化学機械的研磨工程を単純化させる。【解決手段】ルテニウムの化学機械的研磨工程において、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)(diammonium cerium(IV) nitrate)[(NH4)2Ce(NO3)6]を含むスラリー組成物を用いる。

請求項（抜粋）：

化学機械的研磨用スラリー組成物に含まれる研磨用材料において、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)[(NH4)2Ce(NO3)6]からなることを特徴とする研磨用材料。

IPC (8件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/3205 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (8件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , H01L 21/88 K , H01L 27/10 621 C

Fターム (26件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058DA02 , 3C058DA13 , 3C058DA17 , 5F033HH17 , 5F033JJ04 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033QQ50 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F083AD21 , 5F083AD24 , 5F083GA27 , 5F083JA14 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR06 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (10件)

白金族金属層の形成方法及びこれを用いたキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-053764 出願人：三星電子株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-037421 出願人：株式会社東芝
集積回路構造の製造方法および集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021287 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, 株式会社日立製作所

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