特許
J-GLOBAL ID：200903013824957053

磁気抵抗素子および該素子を用いた不揮発固体メモリおよびそれらの記録再生方法

発明者：
小金井 昭雄

小金井 昭雄 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306540
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110162
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 非磁性層を介して磁性膜を積層した磁気抵抗膜において、一方の磁性膜からの漏洩磁界によって、他方の磁性層の保磁力などがオフセットするという問題点があった。【解決手段】 基板上に保磁力の異なる第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子によって解決される。
請求項（抜粋）：
基板上に保磁力の異なる第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
H01L 43/08 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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