少なくとも1層の光触媒層と該層のヘテロエピタキシャル成長のための下地層とを備えた基材、特にガラス基材

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 亀松宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536150
公開番号（公開出願番号）：特表2007-508933
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

本発明は、少なくとも一部がアナターゼ型結晶になっている二酸化チタン(TiO2)基の光触媒性および汚れ防止性を持つ層を少なくとも一部に備えた基材を含む構造体に関する。この構造体は、少なくとも1層のTiO2層の直下に下地層を有し、この下地層はTiO2基上層がヘテロエピタキシャル成長によりアナターゼ型に結晶化するのを促進し、上記光触媒性が熱処理なしに獲得されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部が結晶化したアナターゼ型の二酸化チタン(TiO2)基の光触媒性を持つ汚れ防止層を表面の少なくとも一部に備えた基材を含む構造体において、 TiO2基上層がヘテロエピタキシャル成長によりアナターゼ型結晶として生成するのを促進した結晶構造を持つ下地層(UL)が少なくとも1層のTiO2層の直下にあり、熱処理なしに既に光触媒性を獲得していることを特徴とする構造体。

IPC (3件)：

B01J 35/02 , C03C 17/34 , E04F 13/08

FI (3件)：

B01J35/02 J , C03C17/34 Z , E04F13/08 Z

Fターム (72件)：

2E110AA65 , 2E110AB04 , 2E110AB22 , 2E110BB04 , 2E110GA34 , 2E110GA34W , 2E110GB11 , 2E110GB11W , 2E110GB26 , 2E110GB26W , 2E110GB32 , 2E110GB32W , 4G059AA01 , 4G059AB11 , 4G059AC06 , 4G059AC12 , 4G059AC22 , 4G059EA04 , 4G059EA05 , 4G059EA07 , 4G059EB04 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA12 , 4G169AA01 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA02A , 4G169BA02B , 4G169BA04A , 4G169BA04B , 4G169BA13A , 4G169BA14A , 4G169BA14B , 4G169BA22A , 4G169BA48A , 4G169BB02A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BB06A , 4G169BB06B , 4G169BC12A , 4G169BC13A , 4G169BC13B , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169BC51A , 4G169BC54A , 4G169BC55A , 4G169BC56A , 4G169BC66A , 4G169BD06A , 4G169CA10 , 4G169EA08 , 4G169EA09 , 4G169EB15X , 4G169EB15Y , 4G169EC28 , 4G169FA01 , 4G169FA03 , 4G169FB02 , 4G169FB29 , 4G169FC07 , 4G169HA01 , 4G169HB01 , 4G169HB02 , 4G169HC14 , 4G169HC15 , 4G169HC16 , 4G169HC32 , 4G169HD13 , 4G169HE06

引用特許：

審査官引用 (8件)

シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-247611 出願人：日本原子力研究所
親水性光触媒部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-344611 出願人：日本板硝子株式会社
保護薄層で被覆された光触媒層を備えた基材、特にガラス基材
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-536149 出願人：サン-ゴバングラスフランス

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引用文献：

審査官引用 (11件)

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