特許
J-GLOBAL ID：200903014291901006

半導体装置およびその製造方法、ならびに非絶縁型DC/DCコンバータ

発明者：
白石 正樹

白石 正樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-203241
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027193
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 低耐圧パワーMOSFETにおいて、微細なSJ構造を形成することができるデバイス構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 SJ構造を有する低耐圧の縦型トレンチMOSFETにおいて、電流経路であるN型エピタキシャル層2と、半導体表面からN型エピタキシャル層2内に延在するトレンチ構造とを有し、トレンチ構造の下側のN型エピタキシャル層2内に、フローティングなP型領域3が形成されている。このP型領域3は、トレンチ構造の下部に、P型の不純物イオンをイオン打ち込みすることで形成される。このように、微細なトレンチゲートの下に、イオン打ち込みによりP型領域3を形成することで、イオン打ち込みのエネルギーを低エネルギー化でき、微細なSJ構造を作製できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電流経路である第1導電型の第1半導体領域と、半導体表面から前記第1半導体領域内に延在するトレンチ構造とを有する半導体装置であって、 前記トレンチ構造の下側の前記第1半導体領域内に、フローティングな第2導電型の第2半導体領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (5件)：
H01L29/78 658A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652B
Fターム (16件)：
5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA02 ,  5F048BA07 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BF18 ,  5F048BH07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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