マスクパターンデータ生成方法、フォトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316418
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126614
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】実デバイスのセル領域の非周期領域におけるマージン低下の問題を解決すること。【解決手段】短辺方向に隣接する一対のラインパターンを含む前記設計パターンに対応するパターンデータ11,12間の中央に、前記補助パターンの前記短辺方向の幅と、前記補助パターンと前記一対のラインパターンの一方とのスペース幅と、前記フォトマスクを露光に際して使用する投影露光装置の露光波長と、前記露光装置の開口数とをパラメータとする条件式を満たし、レジスト膜に転写されない補助パターン14を配置する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

斜入射照明方式による投影露光に用いられるフォトマスクにパターンを描画するためのマスクパターンデータを設計パターンに基づいて生成するマスクパターンデータ生成方法において、短辺方向に隣接する一対のラインパターンを含む前記設計パターンに対応するパターンデータを用意する工程と、用意されたパターンデータに含まれる前記一対のラインパターン間の中央にレジスト膜に転写されない補助パターンを配置する工程であって、前記補助パターンの前記短辺方向の幅と、前記補助パターンと前記一対のラインパターンの一方とのスペース幅と、前記フォトマスクを露光に際して使用する投影露光装置の露光波長と、前記露光装置の開口数とをパラメータとする条件式を満たすように前記補助パターンの形状を求める工程とを含むことを特徴とするマスクパターンデータ生成方法。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 D

Fターム (3件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-019191 出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (9件)

サブ解像散乱バーを使用した中間ピッチフィーチャのための光学近接補正方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-537655 出願人：エイエスエムリソグラフィホールディングエヌ.ブイ.
高透過率ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた4分の1露光波長以下線形パターン形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-546999 出願人：エーエスエムエルマスクツールズネザーランズビー.ヴィ.
特開平3-267940

全件表示

前のページに戻る