特許
J-GLOBAL ID：200903014749343415

はんだ箔および半導体装置および電子装置

発明者：
曽我 太佐男

曽我 太佐男 について

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下川 英恵

下川 英恵 について

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石田 寿治

石田 寿治 について

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中塚 哲也

中塚 哲也 について

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岡本 正英

岡本 正英 について

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三浦 一真

三浦 一真 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-301588
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】新鮮なはんだおよびその製造方法、またはそのはんだを用いた電子機器およびその製造方法を提供する。また、電子機器の製造法において必要となる温度階層接続におけるはんだ接続、特に、高温側のはんだ接続を提供する。【解決手段】金属粒子としてCu粒子2と、はんだ粒子としてSn粒子3を含むはんだ材料を圧延して形成したはんだ箔であって、Cuは粒子の状態であり、SnはこのCu粒子の間を埋める状態4にあって、リフローさせるとCuの粒子の表面はCu6Sn5により覆われるはんだ箔。またこのはんだ箔を用いて接続した電子機器。
請求項（抜粋）：
金属の粒子とはんだの粒子を含む材料を圧延して形成したことを特徴とするはんだ箔。
IPC (7件)：
B23K 35/26 310 ,  B23K 35/28 310 ,  B23K 35/28 ,  B23K 35/30 310 ,  B23K 35/30 ,  H01L 21/52 ,  H05K 3/34 512
FI (7件)：
B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/28 310 A ,  B23K 35/28 310 D ,  B23K 35/30 310 A ,  B23K 35/30 310 C ,  H01L 21/52 E ,  H05K 3/34 512 C
Fターム (11件)：
5E319AA03 ,  5E319AB01 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5E319CC33 ,  5E319GG20 ,  5F047BA04 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06 ,  5F047BA12
引用特許：
審査官引用 (14件)
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