特許
J-GLOBAL ID：200903014775960287
ダイシング装置,ダイシング方法,半導体装置,及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-169834
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004598
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】ダイシング時のパッド電極の腐食を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を目的とする。また、ダイシング時に発生する汚染物による不良を防止することを目的とする。【解決手段】ダイシング工程の前にパッド電極4の表面を保護する保護膜15を形成する。保護膜15の形成は、例えば以下に述べる工程で形成する。ポストベーク処理前、つまり熱硬化前のポリイミド膜10が形成された半導体基板11を同一処理装置内に配置し、ポリイミド膜10のベーク処理を行う。このベーク処理の際にポリイミド膜10の揮発成分12がパッド電極4を含め半導体基板1の最終表面上に付着する。これにより保護膜15が形成される。保護膜15は、ダイシング工程時の切削水とパッド電極4との接触を回避させ、電池反応を抑える。従って、ダイシング時にパッド電極4の腐食が防止される。また、汚染物の付着も防止される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
表面の少なくとも一部が外部に露出された第1の金属層を備え、かつポリイミド膜が形成されていない第1の基板を準備し、
前記第1の金属層の露出部を被覆し、ダイシング時に電池反応による前記第1の金属層の溶出を防止する保護膜を形成する工程と、
切削水を供給しながら前記第1の基板をダイシングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (11件)
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