特許
J-GLOBAL ID：200903015351442800
半導体装置、半導体素子の製造方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-049837
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282056
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 半導体素子を含む半導体装置を小型化する。【解決手段】 半導体装置100は、インターポーザー18と、インターポーザー18上に形成され、センターパッド23が素子形成面に形成された半導体素子10と、センターパッドとインターポーザー18とを電気的に接続するボンディングワイヤ20とを含み、ボンディングワイヤ20が通過する半導体素子10の素子形成面の縁部がテーパ状に形成されている。半導体素子10の上には第二の接着層付き半導体素子106が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基材と、
素子形成面にセンターパッドが設けられ、前記基材上にフェイスアップ実装された第一の半導体素子と、
前記基材の所定箇所と前記センターパッドとを接続するボンディングワイヤと、
を含み、
前記ボンディングワイヤと交差する前記第一の半導体素子の前記素子形成面の縁部が、テーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/12
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L23/12 501W
, H01L25/08 Z
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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