特許
J-GLOBAL ID:200903015852467900

半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-256973
公開番号(公開出願番号):特開2007-116139
出願日: 2006年09月22日
公開日(公表日): 2007年05月10日
要約:
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】(1)セラミック又は金属の表面に存在する、水酸基、又は、メタロキサン結合中の酸素と水素結合可能な官能基を有し、(2)200°Cに500時間放置した前後において、波長400nmの光における透過率の維持率が80%以上110%以下であり、(3)中心波長が400nm以上450nm以下であり、且つ波長が385nmを超え500nm以下である光を、波長436nmにおける照度が4500W/m2となるように24時間照射した後において、目視により変化が認められず、(4)波長550nmの光における屈折率が1.45以上であるようにする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(1)水酸基、又は、メタロキサン結合中の酸素と水素結合可能な官能基を有し、 (2)200°Cに500時間放置した前後において、波長400nmの光における透過率の維持率が80%以上110%以下であり、 (3)中心波長が400nm以上450nm以下であり、且つ波長が385nmを超え、500nm以下である光を、波長436nmにおける照度が4500W/m2となるように24時間照射した後において、目視により変化が認められず、 (4)波長550nmの光における屈折率が1.45以上である ことを特徴とする、半導体発光デバイス用部材。
IPC (4件):
H01L 33/00 ,  C08G 77/04 ,  C08G 79/00 ,  C09K 11/06
FI (4件):
H01L33/00 N ,  C08G77/04 ,  C08G79/00 ,  C09K11/06 690
Fターム (39件):
4J030CB03 ,  4J030CC10 ,  4J030CC15 ,  4J030CC21 ,  4J030CE02 ,  4J030CE11 ,  4J030CG06 ,  4J246AA18 ,  4J246AA19 ,  4J246BA14X ,  4J246BB02X ,  4J246CA14X ,  4J246CA39X ,  4J246FA061 ,  4J246FA131 ,  4J246HA11 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA26 ,  5F041DA42 ,  5F041DA57 ,  5F041DA76 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE11 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特許第3275308号公報
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-396258   出願人:岡谷電機産業株式会社
  • 蛍光体層形成用液
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-434786   出願人:株式会社槌屋
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審査官引用 (11件)
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