特許
J-GLOBAL ID：200903017197003265

半導体装置およびその製造方法

発明者：
榊原 純

榊原 純 について

, 
山口 仁

山口 仁 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-097416
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258313
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】スーパージャンクション構造におけるショットキーバリアダイオードにおいて、低抵抗、高耐圧、そして逆回復特性の向上を図る。【解決手段】Nコラム20およびPコラム30によってスーパージャンクション構造にショットキーバリアダイオードが設けられ、当該スーパージャンクション構造全体に格子欠陥が形成されていることにより、当該格子欠陥が形成された領域がライフタイム制御領域50とされている。これにより、Nコラム20、Pコラム30における少数キャリアのライフタイムを短くすると共に、逆方向に流れる電流を小さくし、さらに半導体装置の逆回復特性を向上することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型基板(10)と、 第1導電型領域(20)および第1の第2導電型領域(30)が前記第1導電型基板(10)上に形成されていると共に、前記第1導電型領域(20)と前記第1の第2導電型領域(30)とが前記第1導電型基板(10)の面方向に繰り返し配置されたスーパージャンクション構造と、 前記スーパージャンクション構造上に形成され、前記第1導電型領域(20)とショットキー接合されると共に、前記第1の第2導電型領域(30)とオーミック接合された第1電極(41)と、 前記第1導電型基板(10)において前記スーパージャンクション構造が設けられた側とは反対側に形成された第2電極(42)とを備えており、 前記第1電極(41)と前記第2電極(42)との間において、前記第1導電型領域(20)と前記第1の第2導電型領域(30)とで構成されるダイオードと、前記第1電極(41)と前記第1導電型領域(20)とで構成されるショットキーバリアダイオードとが並列接続されてなる半導体装置であって、 前記第1導電型基板(10)、前記第1導電型領域(20)、前記第1の第2導電型領域(30)の全体、または少なくとも一部に格子欠陥が形成されることで、前記第1導電型基板(10)、前記第1導電型領域(20)、前記第1の第2導電型領域(30)の全体、または少なくとも一部が少数キャリアのライフタイムが短くなるように制御されたライフタイム制御領域(50)とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/322
FI (13件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/91 J ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 L ,  H01L29/91 C ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 658H ,  H01L29/06 301D ,  H01L21/322 L
Fターム (11件)：
4M104DD26 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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