特許
J-GLOBAL ID:200903017272678575
基板処理装置および基板処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-086650
公開番号(公開出願番号):特開2001-274133
出願日: 2000年03月27日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 基板に対する処理液の供給にあたって、その均一性を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の基板処理装置は、処理槽61内に貯留された処理液に浸漬された基板Wに対して、処理液を供給する複数の供給管63a,63b,63c,63dを有している。これらの供給管63a,63b,63c,63dは、基板Wに対して左上、左下、右上、右下、の互いに異なる位置に設けられている。図6(a)から(d)に示すように、これらの複数(4つ)の供給管のうちいずれの供給管を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換えて、処理液を基板Wに対して供給する。処理液の様々な流れを形成することができるので、一定の流れが継続することに起因する「よどみ」等の発生を抑制することができる。
請求項(抜粋):
処理槽中に貯留された処理液により基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、処理槽内の互いに異なる位置に設けられ、処理槽内に貯留された処理液に浸漬された基板に対して処理液を供給することが可能な複数の供給手段と、前記複数の供給手段のうちいずれの供給手段を用いて処理液の供給を行うかを選択的に切り換える切換手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/304 642
, H01L 21/304 648
, B08B 3/02
, B08B 3/08
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (6件):
H01L 21/304 642 F
, H01L 21/304 648 K
, B08B 3/02 A
, B08B 3/08 Z
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 J
Fターム (21件):
3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB42
, 3B201BB02
, 3B201BB05
, 3B201BB24
, 3B201BB25
, 3B201BB33
, 3B201BB62
, 3B201BB87
, 3B201BB93
, 3B201BB95
, 3B201CB15
, 3B201CC01
, 3B201CD41
, 5F043AA01
, 5F043CC16
, 5F043EE02
, 5F043EE04
, 5F043EE27
, 5F046MA10
引用特許:
審査官引用 (11件)
-
半導体ウェーハ洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-060613
出願人:ソニー株式会社
-
ウエ-ハ洗浄方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-350420
出願人:株式会社エンヤシステム, 川崎製鉄株式会社
-
乾燥装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-069089
出願人:株式会社日立製作所
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