特許
J-GLOBAL ID：200903017561889118

実装用微小構造体および光伝送装置

発明者：
近藤 貴幸

近藤 貴幸 について

, 
下田 達也

下田 達也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197802
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083953
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】基板上面の凹部に重力で嵌合し、面発光レーザ素子等の化合物半導体素子を高位置精度に実装するための実装用微小構造体を提供する。【解決手段】Si異方性エッチングにより基板上面の凹部と同形態に高精度に形成されたSi製ブロック1の上面に面発光レーザ素子2を形成する。面発光レーザの場合、エピタキシャル層をSi基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばGaAs基板11基板上にエピタキシャル層14を成長させ、それを逆向きにしてSi基板17上に接合し、面発光レーザ素子2を成形してから、異方性エッチングによりSi製ブロック1を成形・分割する。Si製ブロック1には個別の素子を形成してもよいが、化合物半導体素子と個別に駆動するために、両者の中間層22に高抵抗層23や電流阻止層24などを介装する。電極をSi基板17の上面に設けるとプローバ検査し易い。
請求項（抜粋）：
流体に混入されてスラリをなし、このスラリを基体の上面で流動させることにより、当該基体の上面の所定の部位に形成された凹部に嵌合して実装される実装用微小構造体であって、前記基体上面の凹部に嵌合する形態のSi製ブロックと、このブロックの上面に形成された化合物半導体素子とを備えたことを特徴とする実装用微小構造体。
IPC (4件)：
H01L 27/15 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/12 ,  H01S 5/022
FI (6件)：
H01L 27/15 H ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 T ,  H01L 31/12 A ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 B
Fターム (23件)：
5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB15 ,  5F073AB17 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073FA04 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA21 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088EA07 ,  5F088EA09 ,  5F088EA11 ,  5F088GA04 ,  5F088KA02 ,  5F088KA08 ,  5F089AA01 ,  5F089AB03 ,  5F089AC10 ,  5F089AC18 ,  5F089FA06
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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