特許
J-GLOBAL ID：200903017967014155

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
枦木 憲二

枦木 憲二 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330096
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101077
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】露光後熱処理部における処理温度を変更する場合であっても、各基板上の化学増幅レジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲内に収めることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】露光後熱処理において、露光後熱処理セルC5での処理温度を変更した場合には、インタフェイスセルC6からの基板の払い出しに際し、基板を送り用バッファSBFにて待機させ、処理温度の変更完了後に、待機中の基板を露光装置へと搬送する。これにより、前ロット内の最終基板の露光処理完了時点から熱処理開始時点までの時間(露光後遅れ時間)と、温度調節後の次ロット最初の基板の露光後遅れ時間とを略同じ値に保つことができ、処理温度変更の前後で露光後遅れ時間にバラツキを生じさせることがない。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、 前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、 前記バッファへの/からの前記基板の搬送、および、前記露光処理済みの前記基板の前記熱処理部への搬送を行う搬送手段と を備え、 前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、 前記搬送手段は、前記変更開始の通知を受けた場合には、前記基板を前記バッファにて待機させ、前記変更完了の通知を受けた後に、前記露光処理が施されるよう待機中の前記基板を前記バッファから取り出して搬送する ことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/68
FI (3件)：
H01L21/30 567 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/68 A
Fターム (23件)：
2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096FA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA15 ,  5F031GA02 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031MA27 ,  5F031MA30 ,  5F031PA03 ,  5F031PA04 ,  5F031PA11 ,  5F046CD05 ,  5F046KA10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173302   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (8件)
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