特許
J-GLOBAL ID：200903018853908543
面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255989
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073823
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】より容易な製造を可能とする簡素な構造を有していながら、単一横モード(基本横モード)で発振する高出力のレーザ光を出射することのできる面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】下部反射鏡12と共に共振器を構成する上部反射鏡の一部(第2の上部反射鏡15)として、活性領域13(活性層)から遠ざかるにしたがってペア膜間の屈折率差が順次大きくなる態様で、p型の「AlxGa1-xAs(0<x≦1)」の組成をもつ半導体膜とp型のGaAsからなる半導体膜とからなるペアを交互に積層形成する。このとき、その半導体膜の組成比は、活性領域13(活性層)から遠ざかるにしたがってアルミニウムの比率(比率x)が順次大きくなる態様で設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
共振器を構成する2つの多層膜反射鏡が発光部となる活性層を挟む態様で形成された面発光型半導体レーザ素子において、
前記活性層を挟む態様で形成された2つの多層膜反射鏡の少なくとも1つが、少なくともその一部として、前記活性層から遠ざかるにしたがってペア膜間の屈折率差が順次大きくなる態様で2種の半導体膜のペアが交互に積層形成された多層膜を含む
ことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC20
, 5F173AC23
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC61
, 5F173AF92
, 5F173AH03
, 5F173AP67
, 5F173AR14
, 5F173AR33
, 5F173AR93
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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