特許
J-GLOBAL ID：200903018972803237
半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060313
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 高温状態において、活性層へのドーパントである不純物元素の拡散を防止する。【解決手段】 AlGaInPから成る活性層5、P系の半導体層に対する拡散係数の小さいp型ドーパントであるBeが添加されたp型AlGaInPクラッド層6、n型AlGaInPからなるn型電流狭窄層12およびp型GaAsキャップ層11を有する半導体層を形成し、n型電流狭窄層12の成長温度(520°C以下)を活性層の成長温度(460°C〜500°C)より高く設定する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、活性層、P系の半導体層に対する拡散係数の小さい第2導電型の不純物元素が添加された第2導電型のクラッド層、電流狭窄層およびキャップ層を有する半導体層を形成した半導体発光装置の製造方法であって、電流狭窄層の成長温度を活性層の成長温度より高く設定することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Fターム (12件)：
5F073AA07
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB12
, 5F073DA06
, 5F073DA21
, 5F073EA23
, 5F073EA28
