特許
J-GLOBAL ID:200903019529591363

積層インダクタ及び積層基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-031041
公開番号(公開出願番号):特開2006-216916
出願日: 2005年02月07日
公開日(公表日): 2006年08月17日
要約:
【課題】 磁気ギャップとなる非磁性体から受ける応力の影響を低減できて、磁性体の磁気特性の劣化を抑制しながら直流重畳特性の向上を図れる積層インダクタ、及び該積層インダクタを内蔵する積層基板を提供する。 【解決手段】 Li-Cu-Zn系フェライトからなる磁性体1に挟まれて、Agからなるコイルパターン2と、磁気ギャップを形成するための安定化ZrO2 にガラスを添加して得られる材料からなる非磁性体3とが存在している。Li系フェライトは従来のNi系フェライトに比べて耐応力性が高いため、焼結時に生じる非磁性体3からの応力による影響を磁性体1の磁気特性が受けにくい。 【選択図】 図1
請求項(抜粋):
積層された磁性体によって形成される磁気回路の磁路の一部に非磁性体による磁気ギヤップが設けられている積層インダクタにおいて、前記磁性体はLi系スピネル型フェライトであることを特徴とする積層インダクタ。
IPC (3件):
H01F 17/04 ,  H01F 27/255 ,  H01F 27/24
FI (3件):
H01F17/04 F ,  H01F27/24 D ,  H01F27/24 H
Fターム (6件):
5E070AA01 ,  5E070AB03 ,  5E070BA12 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070CC01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (13件)
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