特許
J-GLOBAL ID：200903019574508817

微粒子の堆積装置及び方法、並びにカーボンナノチューブの形成装置及び方法

発明者：
佐藤 信太郎

佐藤 信太郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-187331
公開番号（公開出願番号）：特開2005-022886
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】カーボンナノチューブを形成するための触媒パーティクルとなるNiパーティクルを、高アスペクト比の溝構造において実質的に底部のみ、例えば半導体配線のビア孔の底部のみにパーティクルを堆積する。【解決手段】高真空下において、分級により粒径を揃えたNiパーティクル1からなる高指向性のパーティクルビームを被照射対象である高アスペクト比の溝構造2に照射し、実質的に溝構造の底部3のみにNiパーティクル1を堆積させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
溝構造に微粒子を堆積させるに際して、 真空下において、粒径を揃えた前記微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射し、前記被照射対象に形成された前記溝構造の底部に前記微粒子を堆積させることを特徴とする微粒子の堆積方法。
IPC (4件)：
C01B31/02 ,  B01J23/755 ,  B01J37/02 ,  B82B3/00
FI (4件)：
C01B31/02 101F ,  B01J37/02 301M ,  B82B3/00 ,  B01J23/74 321M
Fターム (29件)：
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BB02B ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC68B ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069FA03 ,  4G069FB58 ,  4G069FB66 ,  4G069FB80 ,  4G146AA11 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC44 ,  4G146BC48 ,  4G146DA03 ,  4G146DA40 ,  4G146DA50
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM