特許
J-GLOBAL ID：200903020082898294

半導体装置の製造方法

発明者：
金 度享

金 度享 について

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李 柱範

李 柱範 について

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黄 秉槿

黄 秉槿 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208509
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 トレンチエッチングマスクが半導体基板に与えるストレスを最小化できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に新しいPE-SiN膜が蒸着される。PE-SiN膜は望ましくはSiH4の流量が6.0×10-5m3/min以下である時にSiH4とNH3との流量比が2:1〜1:3の範囲を有するように形成されることにより、高温で形成されるLP-SiN膜と同一にSi-Hボンディングをほとんど有しない膜質で形成される。このようにして熱的ストレス変化が最小化された膜質のPE-SiN膜を形成することにより、後続熱処理時PE-SiN膜のポピングが防止でき、シリコン窒化膜が半導体基板及び半導体基板上に形成された半導体素子に与えるストレスを最小化できる。又、トレンチエッチングマスクとLP-SiN膜で形成されるライナーのエッチング率の差によりライナーデントを最小化できる。
請求項（抜粋）：
シリコン窒化膜蒸着工程を含む半導体装置の製造方法において、前記シリコン窒化膜をPECVD方法で蒸着し、シリコン窒化膜内の水素の組成を所定値以下になるようにして後続熱処理に対するシリコン窒化膜のストレス変化を最小化させることを特徴とするシリコン窒化膜蒸着工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 C
引用特許：
審査官引用 (9件)
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