特許
J-GLOBAL ID：200903022801818411

パルス分割供給によるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法

発明者：
菊池 正志

菊池 正志 について

, 
神保 洋介

神保 洋介 について

, 
若松 貞次

若松 貞次 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (3件)： 浜野 孝雄 ,  森田 哲二 ,  平井 輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026448
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216679
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 電極の離間した複数の位置に複数のパルス変調された高周波電力を供給する高周波電力供給手段が設けられ、複数のパルス変調された高周波電力をそれぞれ電極表面上に全体的に伝播するように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空槽内に、大面積基板を載置する基板ホルダーと、前記基板ホルダーに対向する電極と、前記真空槽内にガスを導入する手段とを設け、また前記電極の離間した複数の位置に複数のパルス変調された高周波電力を供給する高周波電力供給手段を設け、前記複数のパルス変調された高周波電力をそれぞれ前記電極表面上に全体的に伝播するように高周波電力供給手段が構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/515 ,  H01L21/318 B ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 101B
Fターム (32件)：
4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA07 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA03 ,  5F004CA08 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (1件)

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