フォトマスクのテストパターンイメージから印刷されたテストフィーチャーを用いるフォトリソグラフィ工程における焦点変化を測定するシステム及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112545
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303498
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】フォトマスクのテストパターンイメージから印刷されたテストフィーチャーを用いるフォトリソグラフィ工程における焦点変化を測定するシステム及び方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ工程の間露光装備の最適焦点からの焦点誤差のサイズ及び方向を決定するため測定及び分析できる最小線幅を有する印刷パターンに適したテストフィーチャーT1,T2を有するフォトマスクを用いてリソグラフィ工程において焦点変化を測定する。実験的に、又はコンピュータシミュレーションを通じたモデルを立てて印刷されたCD差及び焦点変化との相関関係を立てることができ、フォトリソグラフィシステムにおける最適焦点を決定できる。【選択図】図12A

請求項（抜粋）：

第1の印刷テストフィーチャー及び第2の印刷フィーチャーを含む印刷テストパターンを含むフォトレジストパターンが形成された半導体ウェーハを得、前記第1の印刷テストフィーチャーの印刷最小線幅CD1及び前記第2の印刷テストフィーチャーの印刷最小線幅CD2を決定し、前記印刷最小線幅CD1、CD2の間の相対的なCD差を決定し、前記決定された相対的なCD差に基づいてリソグラフィ工程についての最適焦点設定からの焦点誤差のサイズ及び方向を決定することを含むことを特徴とするリソグラフィ工程の焦点測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/207

FI (4件)：

H01L21/30 526A , G03F1/08 D , G03F7/207 H , H01L21/30 502V

Fターム (13件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB36 , 2H095BC09 , 2H095BC24 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046DA02 , 5F046DA14 , 5F046DB04 , 5F046DD03 , 5F046DD06

引用特許：

出願人引用 (1件)

韓国公開特許第2004-0189814号

審査官引用 (8件)

フォーカスモニタ用光学マスク、露光装置、および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-042018 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
フォーカスモニタ方法及びマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-046236 出願人：株式会社東芝
露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-274702 出願人：株式会社東芝

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