特許
J-GLOBAL ID：200903086685820622
フォトマスク、フォーカスモニター方法、露光量モニター方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090010
公開番号（公開出願番号）：特開2003-287870
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 露光光源の焦点位置ずれまたは、露光量変動を、高感度、高精度にモニターする。【解決手段】フォトマスク上に、開口部とマスク部を有するデバイスパターンと、開口部とマスク部を有し、デバイスパターンの少なくとも一部の領域と同じ平面パターン形状を持つフォーカスモニターパターンまたは露光量モニターパターンを有する。フォーカスモニターパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差は、デバイスパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差と異なる。また、露光量モニターパターンの開口部は、デバイスパターンの開口部と露光光透過率が異なる。
請求項（抜粋）：
マスク基板と、前記マスク基板上に配置され、開口部とマスク部とを持つデバイスパターンと、前記マスク基板上に配置され、前記デバイスパターンの少なくとも一部の領域と同じ平面パターン形状の開口部とマスク部とを持つ第1フォーカスモニターパターンとを有し、前記第1フォーカスモニターパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差は、前記デバイスパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差と異なることを特徴とするフォトマスク。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, G03F 9/02
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 P
, G03F 7/20 521
, G03F 9/02 H
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 526 Z
, H01L 21/30 516 D
2H095BB03
, 2H095BB31
, 2H095BE05
, 2H095BE08
, 2H095BE10
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046CB17
, 5F046DA02
, 5F046DA14
, 5F046DD03
, 5F046DD06
