特許
J-GLOBAL ID：200903023073879537
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195812
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【目的】 主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vfを低下させて素子の信頼性を向上させる。【構成】 基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層と、n型不純物がドープされたn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープの第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されている。第1の窒化物半導体層はアンドープであるので結晶性の良い下地層となり、n型不純物を結晶性良く成長でき、第3の窒化物半導体層は同じくアンドープであるので、第3の窒化物半導体層が結晶性の良い下地層となる。
請求項（抜粋）：
基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層と、n型不純物がドープされたn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープの第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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