特許
J-GLOBAL ID：200903023010881809
ゲート電極成形方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 晃 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-508625
公開番号（公開出願番号）：特表2002-509635
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 2002年03月26日
要約：
【要約】ゲート電極を成形する方法は、絶縁基体(602)上にゲート金属(604)を堆積することと、ハード・マスクを介し露出されるゲート層の区域の開口をエッチングすることよりなる。ゲート金属(604)の層は、ゲート電極の望ましい厚みとほぼ同じ厚みに堆積される。つぎに、ポリマー粒子(700)はゲート金属層上に堆積される。ついで、ハード・マスク層(800)はポリマー粒子とゲート金属層上に堆積される。ついで、ゲート金属(604)の第一領域が、第二領域がハード・マスクにより被覆されたまま露出されるように、ポリマー粒子(700)とポリマー粒子上にあるハード・マスク(800)の部分とが除去される。開口が第一領域ゲート金属を介し完全に形成された後、ハード・マスクの残り部分が除去される。
請求項（抜粋）：
a)ゲート金属の層が下地基体上に形成されるように、ゲート金属を下地基体上に堆積し、ここで前記ゲート金属の前記層は、前記ゲート電極の厚みとほぼ同じ厚みに堆積され、; b)ポリマー粒子をゲート金属の前記層上に堆積し; c)ハード・マスク層を前記ポリマー粒子と前記ゲート金属の前記層上に堆積し; d)前記ゲート金属の前記層の第一領域が露出されるように、また前記ゲート金属の前記層の第二領域が前記ハード・マスク層により被覆されたままであるように、前記ポリマー粒子と前記ポリマー粒子上にある前記ハード・マスク層の部分とを除去し; e)開口が前記第一領域で前記ゲート金属の前記層内に形成されるように前記ゲート金属の前記層の第一領域内にエッチングし、ここで前記ゲート金属の前記層の第二領域は前記ハード・マスク層により前記エッチングから保護され、; f)前記ゲート金属の前記層の前記第二領域上にある前記ハード・マスク層の残り部分を除去する、ことからなるゲート電極を成形する方法。
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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