特許
J-GLOBAL ID：200903023295986650

半導体装置、並びに半導体搭載用基板及びその製造方法

発明者：
奥川 良隆

奥川 良隆 について

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青木 仁

青木 仁 について

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八月朔日 猛

八月朔日 猛 について

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沢井 宏之

沢井 宏之 について

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加藤 正明

加藤 正明 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350995
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118204
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤーボンディングによって半導体素子の電極と配線基板の端子を接続する構造の半導体装置では、絶縁層表裏の導通を得るためのスルーホールは、ワイヤーボンディング用の端子として使用できないため、別にワイヤーボンディング用端子が必要となり、配線基板の回路面積が大きくなり、半導体装置が大きくならざるを得ないという欠点がある。【解決手段】 絶縁層を貫通しワイヤーボンディング用の端子の形状を有する穴に導電体を充填することによって、表裏の導通を得るとともに、ワイヤーボンディング用の端子としても使用することの出来る導体端子を備える半導体装置、並びに半導体搭載用基板およびその製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
配線基板上に素子面を上にして固定された半導体素子の電極が、該配線基板上に配列された導体端子とワイヤーボンディングによって接続されてなる半導体装置において、配線基板上に配列された該導体端子が、配線基板の絶縁層を貫通する穴に導電体を充填した構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 J
引用特許：
審査官引用 (12件)
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