特許
J-GLOBAL ID：200903023477934116
半導体を熱処理する炉及び方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007036
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハへの不純物(とくに鉄)の汚染を従来例に比較して格段に減少できる半導体熱処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハを熱処理する炉において、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁を設け、隔壁の内側と外側にガスを流す。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを熱処理する炉において、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁を設け、隔壁の内側と外側にガスを流す構成にしたことを特徴とする半導体熱処理炉。
引用特許：
出願人引用 (5件)
-
気相成長用炉芯管
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-346865
出願人：東芝セラミックス株式会社
-
特開平1-305515
-
処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-023080
出願人：株式会社日立製作所
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
