特許
J-GLOBAL ID：200903023547973530
パターン欠陥検査方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174491
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351303
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】ミラー電子結像を使った電子線式検査装置において、従来のグリッド電極を用いた帯電制御電極と二次電子を発生させる照射ビームとの組み合わせでは、ミラー電子結像にコントラスト異常を生じさせるような帯電電位の不均一が生じてしまい、正しい欠陥検査が行えなかった。【解決手段】帯電制御電極の構造をグリッドからスリットに変更し、ウェハのビーム照射において影を作らない構成にした。また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。スリット形状を電子ビーム照射領域の長手方向の両端に向かって、電子線強度が緩やかに減少するような形状とした。また、予め不本意に形成されてしまった帯電電位分布を、除去あるいは減じる予備除帯電装置を設けた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一の電子線を試料の第一の領域に面状に照射する工程と、
前記第一の電子線が前記試料の第一の領域に入射する直前に反射するような負電位を印加する工程と、
該反射された電子を結像して前記試料の欠陥を検査する工程とを有する欠陥検査方法において、
前記第一の領域を検査する前に、紫外線または第二の電子線を前記試料表面の第一の領域を含む第二の領域に照射して前記第一の領域の帯電分布を均一にする工程を有することを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (5件)：
H01J 37/20
, H01L 21/66
, H01J 37/29
, G01N 23/225
, G01B 15/04
H01J37/20 H
, H01L21/66 J
, H01J37/29
, G01N23/225
, G01B15/04 K
2F067AA45
, 2F067AA54
, 2F067BB04
, 2F067CC17
, 2F067HH06
, 2F067HH13
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067LL03
, 2F067LL08
, 2F067LL16
, 2F067PP12
, 2F067QQ01
, 2G001AA03
, 2G001CA03
, 2G001JA01
, 2G001JA20
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA07
, 4M106BA14
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB07
, 4M106DB18
, 5C001CC04
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (10件)
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