不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-276796
公開番号（公開出願番号）：特開2009-104729
出願日： 2007年10月24日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

【課題】記憶容量を増大しつつ、記憶されたデータの信頼性を向上する。【解決手段】複数ビット単位でデータを記憶する第1の領域11Aと、1ビット単位でデータを記憶する第2の領域11Bとを有し、第1の領域11A及び第2の領域11Bはそれぞれ、複数ビットのデータを閾値電圧に基づいて記憶可能な複数のメモリセルから構成された、不揮発性メモリ11と、第1の領域11Aに含まれる第1のメモリセルに複数ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットに応じた複数の閾値電圧を設定し、第2の領域11Bに含まれる第2のメモリセルに1ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットのデータ書き込みを実行するコントローラ12とを具備する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

複数ビット単位でデータを記憶する第1の領域と、1ビット単位でデータを記憶する第2の領域とを有し、前記第1の領域及び前記第2の領域はそれぞれ、複数ビットのデータを閾値電圧に基づいて記憶可能な複数のメモリセルから構成された、不揮発性メモリと、前記第1の領域に含まれる第1のメモリセルに複数ビットのデータを書き込む場合に、複数ビットに応じた複数の閾値電圧を設定し、前記第2の領域に含まれる第2のメモリセルに1ビットのデータを書き込む場合に、前記複数ビットのデータ書き込みを実行するコントローラと、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C 16/02

FI (2件)：

G11C17/00 641 , G11C17/00 611Z

Fターム (8件)：

5B125BA01 , 5B125BA19 , 5B125CA06 , 5B125DB08 , 5B125DB19 , 5B125EA05 , 5B125FA01 , 5B125FA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

カードコントローラ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-182254 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (8件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-090855 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-266085 出願人：株式会社東芝
記憶回路、記憶回路から情報を読み出す方法および記憶回路に情報を書き込む方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-018819 出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ

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