特許
J-GLOBAL ID：200903027383147698
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057597
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245208
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 特に、磁気抵抗変化量ΔRと素子面積Aの積ΔRAを高くでき、さらには、強磁性結合磁界Hinを小さくすることができる磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 固定磁性層4を構成する第2固定磁性層4c,8cの非磁性材料層側磁性層4c1,8c1及びフリー磁性層6を例えばCoMnGeCuで形成する。CoMnGeCuは、CoMnGeに比べてバルク散乱係数β等を大きくできると考えられ、この結果、磁気抵抗変化量ΔRと素子面積Aの積ΔRAを高くできる。また強磁性結合磁界Hinも小さくすることができる。前記Cuを、0原子%より大きく17.5原子%以下(平均組成比)だけ加える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層と、を有する磁気検出素子において、
前記固定磁性層あるいは前記フリー磁性層の少なくとも一方は、組成式が、XaYbZcαdで表される磁性合金層を有し、元素αの組成比dは、0原子%より大きく17.5原子%以下の範囲内であることを特徴とする磁気検出素子。
ただし元素XはCo、Rh、Pt、Au、Pd、Ir、Ru、Ag、Zn、Cd、Feのうち1種または2種以上の元素であり、元素YはMn、Fe、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Ta、Cr、Coのうち1種または2種以上の元素であり、元素ZはAl、Sn、In、Sb、Ga、Si、Ge、Pb、Znのうち1種または2種以上の元素であり、元素αは、Cu及び/またはNiであり、a,b,c,dは磁性合金層内における平均組成比(原子%)であり、a+b+c+d=100原子%の関係を満たす。
IPC (11件)：
H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01L 43/12
, H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 41/18
, H01F 41/20
, C22C 19/07
, C22C 18/00
, C22C 38/00
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01L43/12
, H01F10/32
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F41/18
, H01F41/20
, C22C19/07 C
, C22C18/00
, C22C38/00 303S
5D034BA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA16
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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