特許
J-GLOBAL ID：200903024972566170

半導体製造装置、それを用いたウエハ洗浄方法及びCMP処理方法

発明者：
鈴木 英明

鈴木 英明 について


出願人/特許権者：
宮城沖電気株式会社

宮城沖電気株式会社 について

, 
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205878
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035825
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 ハイドロプレーニング現象の発生を容易にし、スラリーの置換効率の向上を図ることができる半導体製造装置、それを用いたウエハ洗浄方法及びCMP処理方法を提供する。【解決手段】 半導体製造におけるウエハスクラバ装置において、底面に溝20が形成されたブラシ16と、このブラシ16を高速回転させるウエハ回転用モータとを備え、前記ブラシ16の溝20により、ハイドロプレーニング現象の発生を容易にする。
請求項（抜粋）：
半導体製造におけるウエハスクラバ装置において、(a)底面に溝が形成されたブラシと、(b)該ブラシを高速回転させる駆動手段とを備え、(c)前記ブラシの溝によりハイドロプレーニング現象の発生を容易にすることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 644 ,  H01L 21/304 621 ,  B08B 1/04 ,  B24B 37/00
FI (4件)：
H01L 21/304 644 G ,  H01L 21/304 621 D ,  B08B 1/04 ,  B24B 37/00 K
Fターム (12件)：
3B116AA03 ,  3B116AB34 ,  3B116BA02 ,  3B116BA08 ,  3B116BA13 ,  3B116BA34 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AC01 ,  3C058AC04 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (10件)
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