配線基板および半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174200
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352005
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、はんだの拡散を防止する膜を低コストで形成し、信頼性の高い配線基板または半導体装置を提供することである。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、配線層の上にニッケル層を形成し、そのニッケル層の厚さを0.8〜5.0マイクロメートルとするものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子の上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と外部接続端子と電気的に接続する配線と、該配線の上に形成され、かつ約0.8マイクロメートル以上約5.0マイクロメートル以下の厚さを有するニッケル層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/92 602 H , H01L 21/92 604 M

引用特許：

出願人引用 (11件)

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審査官引用 (11件)

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