特許
J-GLOBAL ID:200903027266425547
ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-231894
公開番号(公開出願番号):特開2007-045667
出願日: 2005年08月10日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】 ダイヤモンドは炭素原子の間隔が狭くて他の元素が格子点を置換して浅いレベルのドナー、アクセプタを作るのが難しい。ドーピングの方法を工夫して低抵抗のn型、p型のダイヤモンドを作ること。 【解決手段】 炭素原子5つ取りだした空孔に価電子数合計が19になる4つの原子を入れることによってp型ダイヤモンドを作る。炭素原子5つ取りだした空孔に価電子数合計が19になる4つの原子を入れることによってn型ダイヤモンドを作る。 【選択図】図53
請求項(抜粋):
格子中から1つの炭素原子Cとこれに結合する4つの炭素原子、合計5つの炭素原子を除き代わりに炭素以外の原子を含む4つの原子を同じ場所へ入れることによってn型又はp型としたことを特徴とするドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド。
IPC (3件):
C30B 29/04
, C01B 31/06
, H01L 21/265
FI (4件):
C30B29/04 V
, C01B31/06 A
, H01L21/265 Z
, H01L21/265 602A
Fターム (31件):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA03
, 4G077DA05
, 4G077DA11
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077FD02
, 4G077HA06
, 4G146AA04
, 4G146AA16
, 4G146AA17
, 4G146AB07
, 4G146AC19B
, 4G146AC30A
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146CB16
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA01
, 4K030LA15
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
特開平04-266020「半導体ダイヤモンド」
-
特開平04-238895「ダイヤモンド膜及びその製造方法」
-
半導体ダイヤモンド及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-214192
出願人:住友電気工業株式会社
全件表示
審査官引用 (4件)