特許
J-GLOBAL ID：200903027866281948

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
平野 修史

平野 修史 について

, 
川西 安大

川西 安大 について

, 
和田 健二

和田 健二 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047090
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090261
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物、さらに、EUV光による露光下で、コントラストが良く、さらに露光時のアウトガスの問題がないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の置換基を有するスチレン系繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定のトリアリールスルフォニウム化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)少なくとも一般式(I)で示される繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、一般式(II)で表されるカチオンを有するスルホニウム化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/22
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/22
Fターム (60件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ04 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA12P ,  4J100BA13P ,  4J100BA14P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20R ,  4J100BA22R ,  4J100BA35P ,  4J100BA40P ,  4J100BA40Q ,  4J100BA41P ,  4J100BA41Q ,  4J100BA41R ,  4J100BA51P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18R ,  4J100BC04R ,  4J100BC09R ,  4J100BC43P ,  4J100BC43R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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