特許
J-GLOBAL ID：200903027997336390
エピタキシャルシリコンウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068420
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 極薄膜で高品質のエピタキシャルシリコンウエハを安定的に製造することができる方法及びその方法によって製造される出荷用エピタキシャルシリコンウエハを提供する。【解決手段】 下地シリコンウエハをアニールした後に当該下地シリコンウエハ上にエピタキシャル成長を行うことによりエピタキシャルシリコンウエハを製造するにあたって、下地シリコンウエハの表面付近のLSTD密度に応じてアニール条件を適切に設定することによって前記下地シリコンウエハ表面に存在するCOPの形状を十分に平坦化した後、エピタキシャル成長を行うことにより極薄膜のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルウエハを製造する。
請求項（抜粋）：
下地シリコンウエハをアニールした後に当該下地シリコンウエハ上にエピタキシャル成長を行うことによりエピタキシャルシリコンウエハを製造する方法であって、下地シリコンウエハの表面付近のLSTD密度に応じてアニール条件を適切に設定することによって前記下地シリコンウエハ表面に存在するCOPの形状を十分に平坦化した後、エピタキシャル成長を行うことにより極薄膜のエピタキシャル膜を備えたエピタキシャルウエハを製造する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/06
, H01L 21/324
H01L 21/205
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/06 B
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077FE11
, 4G077GA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AE29
, 5F045AF03
, 5F045BB09
, 5F045BB12
, 5F045DA52
, 5F045GB01
, 5F045HA06
