特許
J-GLOBAL ID：200903029198745077
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071390
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260082
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】信頼性を保ちつつ、ダマシン構造の書き込み線とMTJの距離を縮める。【解決手段】MTJ素子MTJ上には、キャップ層16が配置される。絶縁層15は、MTJ素子MTJ及びキャップ層16を覆い、その上面は、キャップ層16の上面と同じレベルに存在する。絶縁層15上には、絶縁層19が配置される。絶縁層19は、キャップ層16上に配線溝20を有する。書き込みビット線25は、この配線溝20内に配置される。絶縁層18は、少なくとも絶縁層15,19に対してエッチング選択比を有し、配線溝20の底部を除き、絶縁層15,19の間に配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の側面を覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に配置され、前記磁気抵抗効果素子上に第1溝を有する第2絶縁層と、前記第1溝を満たし、前記磁気抵抗効果素子に接続される書き込み線と、前記第1溝の底部を除き、前記第1及び第2絶縁層の間に配置され、少なくとも前記第1及び第2絶縁層に対してエッチング選択比を有する第3絶縁層とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083LA21
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR06
, 5F083PR09
, 5F083PR40
出願人引用 (1件)
-
磁気メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-007879
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
