特許
J-GLOBAL ID：200903029449655447

薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法

発明者：
久保田 健

久保田 健 について

, 
竹口 徹

竹口 徹 について

, 
今村 卓司

今村 卓司 について

, 
寺元 弘

寺元 弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について

, 
株式会社アドバンスト・ディスプレイ

株式会社アドバンスト・ディスプレイ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-285973
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057042
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 液晶表示装置は、ガラス基板1上に、容量素子8と、n型薄膜トランジスタ11と、p型薄膜トランジスタ12とを備える。各薄膜トランジスタは、ガラス基板1上に下地膜2を介して形成されチャネル領域とソース/ドレイン領域とが形成される島状の結晶化ポリシリコン膜4b,4cと、ポリシリコン膜4b,4c上に絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6a,6bとを備える。そして、ポリシリコン膜4b,4cの底面と側面とのなす角度が15度以上80度以下であり、ポリシリコン膜4b,4cが表面上に形成されていない下地膜2の厚みを、ポリシリコン膜4b,4c直下に位置する下地膜2の厚みよりも薄くする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、 前記絶縁基板上に下地膜を介して形成され、チャネル領域とソース/ドレイン領域とが形成される島状の結晶化シリコン膜と、 前記結晶化シリコン膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、 前記結晶化シリコン膜の底面と側面とのなす角度が15度以上80度以下であり、 前記結晶化シリコン膜が表面上に形成されていない前記下地膜の厚みを、前記結晶化シリコン膜直下に位置する前記下地膜の厚みよりも薄くした、薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336
FI (4件)：
H01L29/78 618C ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G
Fターム (54件)：
2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA23 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG29 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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