特許
J-GLOBAL ID：200903039669944577
SOI基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231828
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068489
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み酸化層の不具合の存在を低減し、高性能LSI用の高品質SOI基板を供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化層が形成され、前記埋め込み酸化層上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、埋め込み酸化層のピンホール欠陥の密度が1個/cm2 未満であることを特徴とするSOI基板であり、少なくとも表面から埋め込み酸化層が形成される深さまでの領域において、直径換算で0.1μm以上のボイド及び/またはCOPが存在しないシリコン単結晶基板を用いて、SOI構造を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法である。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化層が形成され、前記埋め込み酸化層上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、埋め込み酸化層のピンホール欠陥の密度が1個/cm2 未満であることを特徴とするSOI基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/12 E
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 J
