特許
J-GLOBAL ID：200903029998469213

薄膜形成方法、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
前川 和也

前川 和也 について

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飯島 昭雄

飯島 昭雄 について

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佐藤 順一

佐藤 順一 について

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宮本 宏之

宮本 宏之 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-287376
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 3層レジストを用いたフレームメッキ法によって薄膜を形成する際の、中間層のエッチング処理に伴うバリ及びポリマーの発生、又は前記中間層形成時におけるフォトレジストフレームの変質を回避する。【解決手段】 絶縁膜2及び第1の磁性膜3が形成された基板1の上方に、電極膜5及び保護電極膜6をこの順に形成する。次いで、保護電極膜6上において第1のフォトレジスト層7、中間層8、及び第2のフォトレジスト層9をこの順に形成する。中間層8は、その表面温度が140°C以下となるようにスパッタリング法によって形成する。次いで、第1のフォトレジスト層7を露光現像することによって、フォトレジストパターン19を形成し、これをマスクとして用いることにより、中間層8を塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより部分的に除去する。
請求項（抜粋）：
所定の基材上に電極膜を形成する工程と、前記電極膜上に第1のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第1のフォトレジスト層上に、中間層を形成する工程と、前記中間層上に、厚さ1μm以下の第2のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第2のフォトレジスト層を、所定のマスクを介し、前記中間層が露出するように露光現像処理して、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記中間層を、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記第1のフォトレジスト層が露出するように部分的にエッチング除去することにより、エッチング用マスクを形成する工程と、前記第1のフォトレジスト層を、前記エッチング用マスクを介し、前記電極膜が露出するようにして部分的にエッチング除去することにより、フォトレジストフレームを自己整合的に形成する工程と、前記電極膜を電極とし、前記フォトレジストフレーム内に、電気メッキ法により所定の薄膜を形成する工程と、前記エッチング用マスク、及び前記フォトレジストフレームを除去する工程と、を含むことを特徴とする、薄膜形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/26 511 ,  C23C 14/34 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  G11B 5/31
FI (6件)：
G03F 7/26 511 ,  C23C 14/34 R ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/31 A
Fターム (23件)：
2H096AA27 ,  2H096HA23 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  2H096KA08 ,  2H096KA15 ,  2H096KA19 ,  2H096LA06 ,  4K029AA04 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BC05 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029HA07 ,  5D033DA04 ,  5D033DA08 ,  5D033DA09 ,  5D033DA31
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (18件)
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