特許
J-GLOBAL ID：200903031369077781

半導体装置およびその製造方法

発明者：
伊東 敏雄

伊東 敏雄 について

, 
吉丸 正樹

吉丸 正樹 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068463
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタ17を用いたメモリセルを有する半導体装置の特性劣化を防止する。【解決手段】 強誘電体キャパシタ17を記憶用キャパシタとして用いたメモリセルと、このキャパシタを含む面上に形成された1層以上の層間絶縁膜19、21とを具える半導体装置である。層間絶縁膜19、21のうちの、少なくともキャパシタ17に直接接する層間絶縁膜19を、有機絶縁膜で構成する。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタを記憶用キャパシタとして用いたメモリセルを具える半導体装置において、前記キャパシタを保護している絶縁膜を、有機絶縁膜で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 27/10 651
Fターム (15件)：
5F058AA04 ,  5F058AC02 ,  5F058AE04 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (19件)
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