X線マイクロ分析法を用いて複雑な構造の含有化学物質を決定するための方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543063
公開番号（公開出願番号）：特表2008-521003
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

複数の個別のコンポーネントを有するプリント配線アセンブリにおいてマイクロ蛍光X線分光分析法を用いて有害物質を識別する方法に関する。検出分析計としてマイクロ蛍光X線分光分析法(μ-XRF)及びX線吸収微細構造(XAFS)分光を用いて、電子デバイスにおいて問題の材料を識別する。検査されるデバイス又はアセンブリは、参照データベースにおける情報に応じて、プローブ下、そのデバイス又はアセンブリをX,Y,Z方向へ移動させ、アセンブリ上の選択された位置の元素組成を決定することによって分析される。プローブは分析のための各選択位置から最適な分析距離に位置する。各選択位置の決定された元素組成は参照データベースと関連付けられ、検出された元素はアセンブリにおける様々なコンポーネントに対し割り当てられる。

請求項（抜粋）：

複数の個別のコンポーネントを有するプリント配線アセンブリにおいてマイクロ蛍光X線分光分析法を用いて有害物質を識別するための方法であって、 a)参照データベースにおける情報に応じてアセンブリを通じてプローブを移動させることによってプリント配線アセンブリを分析し、プリント配線アセンブリ上の選択位置の元素組成を決定する工程と、プローブは分析のための各選択位置からほぼ最適な分析距離に位置することと、 b)選択位置の決定された元素組成を参照データベースと関連付け、検出された元素をプリント配線板アセンブリ上の様々なコンポーネントに割り当てる工程と、からなる方法。

IPC (2件)：

G01N 23/223 , H05K 3/00

FI (2件)：

G01N23/223 , H05K3/00 Q

Fターム (26件)：

2G001AA01 , 2G001AA10 , 2G001BA04 , 2G001BA13 , 2G001CA01 , 2G001FA01 , 2G001GA01 , 2G001GA05 , 2G001GA06 , 2G001GA08 , 2G001HA09 , 2G001HA13 , 2G001JA07 , 2G001KA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001NA04 , 2G001NA10 , 2G001NA11 , 2G001NA12 , 2G001NA13 , 2G001NA15 , 2G001NA17 , 2G001NA21 , 2G001PA11 , 2G001PA14

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体用蛍光X線分析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381325 出願人：理学電機工業株式会社
無鉛はんだの金属組織観測方法及び劣化診断方法並びに装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045154 出願人：株式会社東芝
プリント配線板並びに多層プリント配線板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-035406 出願人：イビデン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

NIKKEI MICRODEVICES, 20040701, 第229号, 165-167頁
NIKKEI MICRODEVICES, 20030901, 第219号, 83頁
NIKKEI MICRODEVICES, 20040701, 第229号, 165-167頁

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