半導体用蛍光X線分析装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉本修司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381325
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297891
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】低コストで、回路パターンに損傷を与えることなく、半導体試料を分析できる半導体用蛍光X線分析装置を提供する。【解決手段】半導体試料1に1次X線B1を照射する点状の1次X線源3aと、その半導体試料1からの蛍光X線B2を検出する検出手段5と、前記1次X線B1の照射領域を直径50μm以下の点状に収束させる集光素子6と、前記半導体試料1における回路パターン1a間の切り代であるダイシング部1bを測定部位として認識する試料認識手段12と、前記ダイシング部1bを前記照射領域で1次X線B1が照射される測定位置に移動させる移動機構15とを備える。

請求項（抜粋）：

回路パターンが形成された半導体試料に1次X線を照射する点状の1次X線源と、その半導体試料からの蛍光X線を検出する検出手段とを備えた蛍光X線分析装置であって、前記1次X線の照射領域を直径50μm以下の点状に収束させる集光素子と、前記半導体試料における回路パターン間の切り代であるダイシング部を測定部位として認識する試料認識手段と、前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で1次X線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備えた半導体用蛍光X線分析装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01N 23/223 , G21K 1/06 , G21K 5/02

FI (5件)：

H01L 21/66 L , G01N 23/223 , G21K 1/06 B , G21K 1/06 M , G21K 5/02 X

Fターム (28件)：

2G001AA01 , 2G001BA04 , 2G001CA01 , 2G001EA02 , 2G001EA09 , 2G001GA04 , 2G001GA05 , 2G001GA06 , 2G001GA08 , 2G001HA09 , 2G001HA13 , 2G001JA04 , 2G001JA07 , 2G001KA01 , 2G001KA11 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA11 , 2G001PA14 , 2G001SA01 , 2G001SA02 , 2G001SA30 , 4M106AA01 , 4M106AA20 , 4M106BA20 , 4M106DH25 , 4M106DH34 , 4M106DJ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

蛍光X線分析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-013082 出願人：理学電機工業株式会社

審査官引用 (10件)

表面分析方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-287566 出願人：株式会社日立製作所
蛍光X線分析方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-232309 出願人：理学電機工業株式会社
半導体評価装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-319983 出願人：株式会社日立製作所

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