特許
J-GLOBAL ID：200903031544560792

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
原田 裕次

原田 裕次 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-038338
公開番号（公開出願番号）：特開2008-203452
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】 本発明は、保護膜を形成したときのミキシング層の発生を抑え、露光現像後のブロッブ欠陥の発生を抑えることができる、長期安定性と露光安定性に優れたレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる第1の高分子化合物と、高分子添加剤として置換又は非置換のスチレン、ヒドロキシスチレン又はカルボキシスチレンからの繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを含んでなる第2の高分子化合物とを含むレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる第1の高分子化合物と、 高分子添加剤として置換又は非置換のスチレン、ヒドロキシスチレン又はカルボキシスチレンからの繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを含んでなる第2の高分子化合物と を含むレジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (18件)：
2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025DA13 ,  2H025DA34 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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