特許
J-GLOBAL ID：200903032017195179

リセスゲート型HFETの製造方法

発明者：
村石 桂一

村石 桂一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068867
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235347
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型HFETを製造することができるリセスゲート型HFETの製造方法を提供する。【解決手段】基板上にGaN層とAlGaN層とのヘテロ接合部を有し、AlGaN層上にゲート電極が形成されているリセスゲート型HFETを製造する方法であって、基板上にGaN層を形成する第1工程と、GaN層上に第1のAlGaN層を1nm以上3nm以下の厚さに形成する第2工程と、第1のAlGaN層の表面のうちゲート電極形成領域以外の領域の少なくとも一部の表面上に第2のAlGaN層を再成長により形成する第3工程と、第1のAlGaN層の表面のゲート電極形成領域にゲート電極を形成する第4工程と、を含む、リセスゲート型HFETの製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム層と窒化アルミニウムガリウム層とのヘテロ接合部を有し、前記窒化アルミニウムガリウム層上にゲート電極が形成されているリセスゲート型HFETを製造する方法であって、 基板上に窒化ガリウム層を形成する第1工程と、 前記窒化ガリウム層上に第1の窒化アルミニウムガリウム層を1nm以上3nm以下の厚さに形成する第2工程と、 前記第1の窒化アルミニウムガリウム層の表面のうちゲート電極形成領域以外の領域の少なくとも一部の表面上に第2の窒化アルミニウムガリウム層を再成長により形成する第3工程と、 前記第1の窒化アルミニウムガリウム層の表面のゲート電極形成領域にゲート電極を形成する第4工程と、 を含む、リセスゲート型HFETの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/28
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/58 Z ,  H01L21/28 301B
Fターム (32件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102FA00 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT06 ,  5F102HA05 ,  5F102HA06 ,  5F102HA20 ,  5F102HB05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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