特許
J-GLOBAL ID：200903033219931132

成膜装置

発明者：
飯塚 八城

飯塚 八城 について

, 
安室 章

安室 章 について

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木村 宏一郎

木村 宏一郎 について

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辻 徳彦

辻 徳彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 三枝 弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-022181
公開番号（公開出願番号）：特開2006-077321
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 原料ガスの輸送経路にフィルタを配置した成膜装置において、パーティクル量を従来よりも有効に低減することのできる新規な構造を提供する。【解決手段】 本発明は、液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、原料気化部から成膜部の導入部分に至る原料ガスの輸送経路の途中にフィルタ153が配置され、フィルタ153の外縁153aは、当該外縁153aよりも押圧方向に高い剛性を備えた環状の支持部材158により全周に亘って輸送経路の内面に対して押圧固定され、しかも、輸送経路の内面と支持部材158との間で圧縮された状態にあることを特徴とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、前記原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された前記原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、 前記原料気化部から前記成膜部の導入部分に至る前記原料ガスの輸送経路の途中にフィルタが配置され、 前記フィルタの外縁は、当該外縁よりも押圧方向に高い剛性を備えた環状の支持部材により全周に亘って前記輸送経路の内面に対して押圧固定され、しかも、前記輸送経路の内面と前記支持部材との間で圧縮された状態にあることを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
C23C16/44 J ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/31 B
Fターム (12件)：
4K030AA11 ,  4K030EA01 ,  4K030KA45 ,  4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045AA03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE10 ,  5F045EF05
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • CVD-TiN膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-353819   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238315   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
  • ガス供給装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-258576   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (10件)
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