特許
J-GLOBAL ID：200903033282781434
圧電素子の製造方法、アクチュエータ装置の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法および圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069017
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250626
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】圧電特性の高い圧電素子の製造方法を提供する。【解決手段】下電極膜と上電極膜との間に形成された主に(100)配向のPZT膜を有する圧電素子の製造方法において、第1PZT膜を形成し、この格子定数dを測定し、この格子定数dが、4.03≦d≦4.08であるか否かを検証し、この検証結果に基づき、第2PZT膜のZr/Ti組成比を調整する。その結果、PZT膜のZr/Ti組成比が菱面体晶(R)と正方晶(T)の相境界近傍の組成比となるよう制御することができ、圧電特性を向上させることができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間に形成されたペロブスカイト構造であって主に(100)配向の圧電体膜を有する圧電素子の製造方法において、
(a)第1圧電体膜を形成し、前記第1圧電体膜の格子定数dを測定し、前記格子定数dが、4.03≦d≦4.08であるか否かを検証する工程と、
(b)前記検証結果に基づき、第2圧電体膜の化合物組成比を調整する工程と、
(c)前記第2圧電体膜を有する圧電素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする圧電素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H02N 2/00
H01L41/22 Z
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H02N2/00 B
