特許
J-GLOBAL ID：200903033484550841
エピタキシャル・シリコン膜によって製作した容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松本 研一
, 小倉 博
, 黒川 俊久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-367304
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186999
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ(cMUT)及びその製作方法を提供する。【解決手段】容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ(cMUT)セル(10)を提供する。このcMUTセル(10)は下側電極(18)を含んでいる。さらにこのcMUTセル(10)は、下側電極(18)との間に第1のギャップ幅を有するギャップが形成されるように下側電極(18)に隣接して配置させた隔壁(22)を含んでおり、この隔壁(22)は第1のエピタキシャル層(40)または第1のポリシリコン層のうちの一方を備えている。さらに、第1のエピタキシャル層(40)内には応力低減材料を配置させている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下側電極(18)と、
前記下側電極(18)との間に第1のギャップ幅を有するギャップが形成されるように該下側電極(18)に隣接して配置させた隔壁(22)であって、第1のエピタキシャル層(40)または第1のポリシリコン層のうちの一方を備えた隔壁(22)と、
前記第1のエピタキシャル層(40)または第1のポリシリコン層のうちの一方内に配置された応力低減材料と、
を備える容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ・セル(10)。
IPC (4件)：
H04R 19/00
, B81B 3/00
, B81C 3/00
, H04R 31/00
H04R19/00 330
, B81B3/00
, B81C3/00
, H04R31/00 330
出願人引用 (1件)
審査官引用 (16件)
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