特許

J-GLOBAL ID：200903033688268576

薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット

発明者： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-018783
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124499
出願日： 2008年01月30日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約250°Cといった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Al合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にAl合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Al合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を0.1〜6原子%、およびグループXに属する元素を0.1〜2.0原子%の範囲で含有するAl-α-X合金からなり、グループαは、Ni,Ag,Zn,Cu,Geの少なくとも一種、グループXは、Mg,Cr,Mn,Ru,Rh,Pd,Ir,Pt,Ce,Pr,Tb,Sm,Eu,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Dyの少なくとも一種である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Al合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にAl合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、 前記Al合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を0.1原子%以上6原子%以下、およびグループXに属する元素を0.1原子%以上2.0原子%以下の範囲で含有するAl-α-X合金からなり、前記グループαは、Ni,Ag,Zn,Cu,およびGeよりなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、前記グループXは、Mg,Cr,Mn,Ru,Rh,Pd,Ir,Pt,Ce,Pr,Tb,Sm,Eu,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,およびDyよりなる群から選択される少なくとも一種の元素であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A ,  G02F1/1368

Fターム (115件)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB31 ,  2H092JB65 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092NA16 ,  2H092NA18 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104DD17 ,  4M104DD40 ,  4M104FF21 ,  4M104FF23 ,  4M104GG09 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  5F033GG04 ,  5F033HH10 ,  5F033HH20 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ35 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK10 ,  5F033KK20 ,  5F033LL09 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX16 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL10 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083260   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086291   出願人：三菱電機株式会社
• 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086292   出願人：三菱電機株式会社, 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
• 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274288   出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (5件)

• 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274288   出願人：株式会社神戸製鋼所
• Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-102978   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-037632   出願人：松下電器産業株式会社
• 配線材料、配線層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210560   出願人：日本アイ・ビー・エム株式会社
• 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184747   出願人：株式会社神戸製鋼所