特許
J-GLOBAL ID：200903085748516620

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
金子 剛

金子 剛 について

, 
井出 次男

井出 次男 について

, 
中山 人司

中山 人司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320038
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086170
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 エネルギーの利用効率を低下させることなく、レーザ光の偏波面の制御が可能であり、信頼性の良好な面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかる面発光型半導体レーザは,基板101の上方に形成された第1ミラー102と、活性層103と、第2ミラー104と、を有する面発光型半導体レーザにおいて、活性層103の近傍に形成された、開口部110を有する絶縁層105を含む第1柱状部130と、第1柱状部130の上方に形成された第2柱状部132と、を含み、第2柱状部132の平面形状は異方性を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上方に形成された第1ミラーと、活性層と、第2ミラーと、を有する面発光型半導体レーザにおいて、 前記活性層の近傍に形成された、開口部を有する絶縁層を含む第1柱状部と、 前記第1柱状部の上方に形成された第2柱状部と、を含み、 前記第2柱状部の平面形状は異方性を有する、面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (6件)：
5F073AA07 ,  5F073AB17 ,  5F073DA21 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073EA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (12件)
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